當您需要滿足高速數(shù)據(jù)通信的嚴格規(guī)范時，請使用我們的 850 nm VCSEL 陣列，可選擇 10G、25G、50G PAM4 和 100G PAM4 VCSEL。每個 VCSEL 發(fā)射器都以多種橫向模式和單一縱向模式工作，并發(fā)出低發(fā)散的圓形對稱光束，可有效耦合到 50/125 和 62.5/125 μm 多模光纖中。提供單芯片、4 通道和 12 通道陣列。

850 nm 多模發(fā)射

光譜寬度低

閾值和工作電流低

可靠性高

高防潮性，符合 GR468 標準

低電寄生

數(shù)據(jù)傳輸速率從直流到 10 Gb/s

雙頂觸點配置，共陰極電極

可提供單芯片、4 通道和 12 通道陣列

符合 RoHS 規(guī)范

APA4301010302：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片 包裝：金屬引線框架上的切割晶片

APA4301040302：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 陣列 包裝：金屬引線框架上的切割晶片

APA4301120302：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 陣列 包裝：金屬引線框架上的切割晶片

APA4301010102：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片 包裝：陣列握環(huán)

APA4301040102：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 包裝：陣列握環(huán)

APA4301120102：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 包裝：陣列握環(huán)

APA4301010202：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 陣列 包裝：Gel-Pak

APA4301040202：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 陣列 包裝：Gel-Pak

APA4301120202：數(shù)據(jù)速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 陣列 包裝：Gel-Pak

運輸包裝選項：

切丁晶片，UV 膠帶，金屬引線框架

握環(huán)

凝膠包裝

產(chǎn)地：美國

閾值電流 I_th：0.8 至 1.1 mA

斜率效率 η I = 4 mA：0.34 至 0.52 mW/mA

光輸出功率 P_out I_op = 5 mA：1.4 至 2.2 mW

工作電壓 U_op I_op = 5 mA：1.9 至 2.1 V

差分電阻 R_d I_op = 5 mA：45 至 75 Ω

發(fā)射波長 λ I_op = 5 mA，T = -10 至85 ℃：840 至 860 nm

光譜寬度，有效值 ?λ I_op = 5mA, T = -10 至 85 ℃：0.4 nm

調(diào)制帶寬 f_3dB I_op = 5mA：9 GHz

上升時間 t_r I_op = 5mA，ER = 5dB，20 至 80 %：30 至 35 ps

下降時間 t_f I_op = 5 mA，ER = 5 dB，20 至 80%：40 至 45 ps

電容 C I_op = 5 mA：0.2 至 0.3 pF

光束發(fā)散 Θ I_op = 5 mA，全寬 1/e²：24 至 30 °

相對強度噪聲 RIN(OMA) I_op = 5 mA，ER = 5 dB，7.7 GHz 帶寬：-128 dB/Hz

1x4 和 1x12 陣列芯片的閾值一致性 ?I_th 范圍：0.15 mA

斜率效率均勻性 ?η：0.05 mW/mA

光輸出功率：8 mW

峰值正向電流（Max 10 秒）：12 mA

VCSEL 反向電壓：5 V

工作溫度：-10 至 +85 ℃

存儲溫度：-40 至 +100 ℃

安裝溫度（Max 10 秒）：260 ℃

芯片外部尺寸

Min；典型值；Max

模具長度：210；230；250 µm

模具長度：960；980；1000 µm

模具長度：2960；2980；3000 µm

模具寬度：260；280；300 µm

模具高度：135；150；165 µm

單通道和并行光纖通信鏈路，10 Gb/s可達 300 米、智能電纜、HDMI