UVtransfer 是一種用于 MicroLED 激光移除 (LLO)、激光誘導正向轉移 (LIFT) 和修復/修整加工的激光系統(tǒng)。三合一系統(tǒng)專為研發(fā)和試驗加工而設計。該系統(tǒng)建立在高精度花崗巖運動模塊上，由直接紫外 248 納米高能激光器驅動。該系統(tǒng)提供一體化解決方案，包括開箱即用和易于操作的專用流程。它配備了功能強大的操作軟件，可進行快速設置。

3 合 1 系統(tǒng)為 MicroLED 顯示屏制造提供相關激光工藝

掩膜成像系統(tǒng)可實現高光學分辨率，適用于小芯片尺寸

采用可靠的直接紫外準分子激光器

1 級激光器外殼符合人體工程學標準

與新型材料和尺寸兼容

易于使用且直觀的軟件

自動對準基底

自動改變磁場尺寸，從 8 x 1 mm² 到 16 x 2 mm²（可選）

花崗巖底座上的軸模塊；基板/晶圓 x-y 平臺，施子晶圓 x-y 平臺；掩膜 x-y-φ 平臺；工具控制軟件；自動晶圓和基板對齊

產地：美國

外殼：集成激光、光學、掩膜成像、平臺和視覺功能

尺寸（寬x長x高）：約 1.365 x 4.05 x 2.05 m³

激光：Coherent紫外線 248 nm 激光系統(tǒng)

激光提升-關閉

材料：帶 MicroLED 的藍寶石 EPI 硅片（氮化鎵）（可根據要求提供 DSP、PSS-BSP）

尺寸：4 至 6" 圓形晶片

處理系統(tǒng)：用真空吸盤固定，覆蓋 4或 6" 晶圓

 x-y 平臺：覆蓋整個晶片區(qū)域

 x-y 平臺精度：± 2.5 µm

 x-y 平臺重復性（雙向）：± 0.5 µm

 x-y 平臺速度：≤ 50 mm/s

晶圓裝載：手動，預對準

微型 LED：尺寸小至 5 μm

晶圓上的光場尺寸：8 x 1 mm²

基片上的能量密度：高達 1200 mJ/cm²

材料：石英或藍寶石晶片

尺寸：4 到 6" 圓形或方形晶片

處理系統(tǒng)：真空固定，覆蓋 4 或 6" 晶圓的有效區(qū)域

 x-y 平臺：覆蓋晶片的有效區(qū)域

 x-y 平臺精度：± 2.5 µm

 x-y 平臺重復性（雙向）：± 0.5 µm

 x-y 平臺速度：≤ 50 mm/s

晶圓裝載：手動，預對準

微型 LED：尺寸小至 5 μm，街道寬度小至 5 μm

晶片上的光場尺寸：8 x 1 mm²；（可選 16 x 2 mm²）

基片上的能量密度：高達 1200 mJ/cm²（可選 300，16 x 2 mm²）

基底材料：技術玻璃、背板

尺寸：370 x 470 mm²（GEN 2 基板）

處理系統(tǒng)：真空吸盤

 x-y 平臺：覆蓋整個基板區(qū)域

 x-y 平臺精度：± 2.5 µm

 x-y 平臺重復性（雙向）：± 0.5 µm

 x-y 平臺速度：≤ 50 mm/s

基板與臨時載體之間的距離控制：可通過機器 SW 調節(jié)可變距離

激光防護等級（根據 EN60825-1:2015）：激光防護等級 1

UVtransfer 3 合 1 MicroLED 處理、激光剝離 (LLO)、轉印 (LIFT)、修復/修邊